什么是tvs瞬变抑制二极管?
作者： 来源： 时间：2009-04-30瞬态抑制二极管是用于保护敏感型电子设备免受高电压瞬变损害的电子元件。 与大多数其他类型的电路保护设备相比，它们可更快地应对过电压现象，可提供各类表面贴装和通孔电路板安装型号。
该产品通过截面积大于常规二极管的p-n结将电压限制在一定范围（称为“箝位”装置），可以将较大电流导向地面，因此不会对元件造成持续损坏。
瞬态抑制二极管通常用于保护传输或数据线路以及电子电路，使其免受雷击、感应负载开关和静电放电等引起的电气过压损害。
Littelfuse瞬态抑制二极管适用于多种电路保护应用，但主要应用于保护电信、工业设备、计算机和消费电子产品中的输入/输出接口。
Littelfuse瞬态抑制二极管的特性包括：
- 增量浪涌电阻较低
- 可提供单向和双向极性
- 反向断态电压介于5至512V之间
- 符合RoHS亚光锡无铅电镀标准
- 表面贴装型额定功率介于400W至5,000W之间
- 轴向引线型额定功率介于400W至30,000W（30kW）之间
- 提供6kA和10kA的高电流保护
如需进一步了解 其他瞬态抑制技术及对比结果， 请参阅Littelfuse应用说明书AN9768。
与其他二极管技术的对比：
| 二极管类别 | 应用范围 | 备注 |
|---|---|---|
| 传统二极管，整流器 | 电源控制 | 适用于“控制”高电流；从直流转换成交流。 常见于TO-220等大型封装中。 |
| 齐纳二极管 | 电源控制 | 适用于调节电源供应中的直流电压。 常见于中型及大型封装（轴向和TO-220）。 |
| 硅雪崩二极管（SAD），瞬态电压抑制器（TVS） | 过压保护 | 适合保护易接触雷击浪涌或因电气电路的机械开关导致的瞬态电压等高能现象的电路（EFT）。 常见于中型封装（轴向和DO-214） |
| 二极管阵列 | 过压保护 | 二极管阵列属于类别更广泛的瞬态抑制二极管阵列（SPA），旨在提供ESD保护。 常见于小型表面贴装（SOIC-8、SOT-23和SC-70等） |
| 肖特基二极管 | 电源控制 | 适用于开关模式电源的高频（HF）整流。 |
| 变容二极管 | 射频调谐 | 采用了结电容特性优势的唯一已知的二极管应用。 |
工作特性的对比：
| 二极管类别 | 反向击穿电压 （VBR，VZ） |
电容（CJ） | 备注 |
|---|---|---|---|
| 传统二极管，整流器 | 800-1500V | 很高 | 交流至直流转换 |
| 齐纳二极管 | 高达100V | 中到高 | 调节直流电源 |
| 硅雪崩二极管（SAD） | 高达600V | 中 | 雷击浪涌和瞬态电压保护 |
| 二极管阵列 | 高达50V | 低（< 50pF） | 高频数据电路的ESD保护 |
装置结构的对比：
肖特基二极管是通过将金属焊至半导体结上而形成。 从电气角度而言，该二极管是通过多数载流子进行导电，在漏电流和正向偏压（VF）较低时能够快速响应。 肖特基二极管广泛应用于高频电路。
齐纳二极管由重掺P-N半导体结制成。 有两种物理效应可称之为齐纳态（齐纳效应和雪崩效应）。 当P-N结上施加了很低的反向电压时，在量子效应下，P-N结将开始导电，这种现象称之为齐纳效应。 当PN结上施加的反向电压大于5.5伏时将发生雪崩效应。发生雪崩效应时，所产生的电子空穴对将碰撞格栅。 基于齐纳效应的齐纳二极管广泛用作电子电路中的基准电压源。
瞬态抑制二级管由特制的P-N半导体结组成，可提供浪涌保护。 PN结通常覆膜，以防在非导电状态下过早出现电压弧闪。 出现瞬态电压时，瞬态抑制二级管开始导电，并通过雪崩效应钳制瞬态电压。 瞬态抑制二极管广泛用作电信、通用电子设备、数码消费电子产品的电路过压保护装置，可提供雷击、静电放电和其他瞬态电压保护。
SPA表示瞬态抑制二极管阵列。 该阵列集成了PN结、SCR或采用多引脚结构封装的其他硅保护结构。 SPA可用于需要多种保护的电信、通用电子设备、数码消费电子产品，提供对静电放电、雷击和EFT的综合保护。 例如，它可用于HDMI、USB和以太网端口的ESD保护。